Оперативная память GoodRAM DDR4 8GB 2666MHz (GR2666D464L19S/8G)

Описание

Модуль памяти Goodram GR2666D464L19S/8G – это высококачественный модуль оперативной памяти, разработанный для повышения производительности и улучшения работы компьютерной системы. Этот модуль предназначен для использования в ноутбуках и других мобильных устройствах.

GR2666D464L19S/8G имеет емкость 8 гигабайт и работает на частоте 2666 мегагерц, что обеспечивает быстродействие и отзывчивость системы. Этот модуль памяти использует стандарт DDR4, широко распространенный и совместимый с большинством современных компьютерных систем.

Одно из преимуществ модуля GR2666D464L19S/8G – это его низкое энергопотребление. Он работает с низким напряжением, что помогает снизить потребление энергии и повысить эффективность работы ноутбука или другого устройства. Благодаря этому модуль позволяет увеличить время автономной работы и продлить срок службы батареи.

GR2666D464L19S/8G также отличается надежностью и стабильностью работы. Goodram – известный производитель памяти, известный своими высокими стандартами качества. Модуль памяти проходит строгие тесты и сертификацию для обеспечения надежной и безопасной работы в вашей системе.

Установка модуля GR2666D464L19S/8G в вашу систему обычно является простой процедурой. Он совместим с разными ноутбуками и устройствами, поддерживающими стандарт DDR4 и оперативную память частотой 2666 МГц. Рекомендуется проверить совместимость с системой перед покупкой.

В общем, модуль памяти Goodram GR2666D464L19S/8G – это надежный и высококачественный компонент, предназначенный для улучшения производительности вашей компьютерной системы. Он обеспечивает высокую скорость работы, энергоэффективность и стабильность, делая его отличным выбором для обновления памяти в ноутбуке или другом мобильном устройстве.

Характеристики :

• Тип товара: модуль памяти/оперативная память
• Назначение: для ноутбука
• Объем памяти: 8 ГБ
• Тип памяти: DDR4 SDRAM
• Напряжение питания: 1.2 В
• Частота памяти: 2666 МГц
• Эффективная пропускная способность: 21300 МБ/с
• Схема таймингов памяти: CL19
• Количество планок: 1
• Форм-фактор: UDIMM